STV270N4F3

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STMicroelectronics STV270N4F3

型号:
STV270N4F3
制造商:
STMicroelectronics
封装:
10-PowerSO
数据表:
STV270N4F3.pdf
描述:
MOSFET N-CH 40V 270A 10POWERSO
库存:
3216
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    STV270N4F3 Typical application Circuitry Schematics

    STV270N4F3


    The STV270N4F3 is a high-performance, efficient N-Channel Power MOS FET by Microelectronics. It is designed for applications such as switch-mode power supplies (SMPS), DC-DC converters, motor control, and other general purposes. Here's a guide to incorporating the STV270N4F3 into your circuit design:



    1. Drain-Source Connection: The STV270N4F3 has three terminals - Drain (D), Source (S), and Gate (G). The Source is frequently linked to ground, while the Drain is frequently connected to the load. Ensure to manage the voltage and current within the device specifications to avoid any damage.


    2. Gate Drive: The gate voltage (VGS) controls the state of the STV270N4F3. When VGS exceeds the threshold voltage (VH), the MOS FET turns on, allowing current to flow from Drain to Source. Conversely, when VGS is less than VH, the MOS FET is off. Hence, you need to drive the Gate appropriately using a microcontroller or a dedicated driver circuit, based on your specific needs.



    3. Protection Circuit: It is recommended to add a protection circuit for the STV270N4F3. This could include a gate-source resistor to prevent ringing, a gate-source Zenger diode to clamp the gate voltage and prevent it from exceeding the VGS(max) rating, and a drain-source snubbed circuit to suppress voltage spikes.


    4. Heat Dissipation: Power Moses such as the STV270N4F3 can generate significant heat during operation. Therefore, appropriate measures should be taken for heat dissipation. This can include using a heat sink or designing your PCB to act as a heat sink. Additionally, the thermal pad underneath the package should be soldered to the ground plane to enhance thermal dissipation.


    5. Parasitic Inductance: Parasitic inductance in the gate drive and power loop can cause unwanted oscillations or ringing. Therefore, keeping the gate drive path and power loop area small is important to minimize these parasitic inductances.


    In summary, integrating the STV270N4F3 into your design involves careful considerations of the device's Drain-Source connections, Gate drive, protection circuit, heat dissipation, and management of parasitic inductances. When using the STV270N4F3, following these recommendations will help you increase the efficiency and dependability of your circuit.

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    STV270N4F3 常见问题

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    2. www.yxyic.cn如何保证STV270N4F3来自原始制造商或授权代理商?

    我们有一个专业且经验丰富的质量控制团队来严格验证和测试STV270N4F3。所有供应商必须通过我们的资格审查,才能在www.yxyic.cn上发布包括STV270N4F3在内的产品;我们比任何其他客户都更注重STV270N4F3产品的渠道和质量。我们严格执行供应商审核,因此您可以放心购买。

    3. STV270N4F3的价格和库存显示是否准确?

    STV270N4F3的价格和库存波动频繁,无法及时更新,将在24小时内定期更新。而且,我们的报价通常在5天后到期。

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    (2)我们在交付STV270N4F3后90天内获悉上述缺陷。

    (3)型号未使用,仅在原始未包装的包装中。

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    (1)在90天内通知我们

    (2)获得申请退货授权

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